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中南大学胡久刚教授团队通过电纺合成了具有三维（3D）多孔结构且富含物理/化学缺陷的氧化钒纳米纤维（VCN），要素营商业改集其中物理缺陷包括孔道和洞穴，要素营商业改集化学缺陷为PAN的热解过程中产生的氧空位[12]。澳大利亚悉尼科技大学汪国秀教授课题组联合燕山大学邵光杰教授课题组通过一步固相烧结法合成了含氧缺陷钒酸钾/非晶碳纳米带三维网络复合材料（表示为C-KVO|Od），环境和企活力并系统地研究了它们的Zn2+存储行为[10]。
如图4a所示，革革激Od-VO2-G的电荷转移电阻Rct值（74.1Ω）明显小于纯相VO2（118.9Ω），革革激而且根据表面吸附吉布斯自由能计算结果，相比于纯相的VO2晶体，Od-VO2对Zn2+的吸附能更小一些，有利于锌离子高度可逆的吸脱附过程（图4c-f）。除此之外，成改北京航空航天大学的杨树斌教授团队[11]通过用低价氧取代高价氮的方式构筑了具有丰富空位或缺陷的无序岩盐结构，成改从而有效解锁了岩盐氧化钒储存Zn2+的电化学反应潜力。因此，增动氧缺陷与无定形碳之间的协同作用使C-KVO|Od正极具有高容量（0.2Ag-1下为385mAhg-1），增动优异的倍率性能（甚至在20Ag-1下也为166mAhg-1）和优异的循环稳定性（在1000次循环中保持95％的容量）。
图6.无序岩盐VNxOy（x≈0.2，山东深化y≈2.1）用于锌存储的电化学性能和动力学分析。但前者的电荷变化比后者更明显，要素营商业改集表明纯KVO中的Zn2+吸附更强，这与Zn2+吸附的吉布斯自由能是一致的（图5c-f）。
这表明当从V6O13晶格中提取氧原子时，环境和企活力缺陷位置会形成有多余的电子，从而导致Od-VO的离域电子云增加来实现容量产生。
从图3a-b可以看到，革革激引入氧空位(VO)可以导致部分XRD衍射峰向右偏移。至于像青年千人这样的青年人才梯队，成改北京航空航天大学这些年更是以引进几十位论。
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